GDT（Gas Discharge Tubes），即陶瓷气体放电管。GDT是内部由一个或一个以上放电间隙内充有惰性气体构成的密闭器件。GDT电气性能取决于气体种类、气体压力、内部电极结构、制作工艺等因素。GDT可以承受高达数十甚至数百千 安培的浪涌电流冲击，具有极低的结电容，应用于保护电子设备和人身免遭瞬态高电压的危害。下图为典型的GDT伏安特性图。



GDT特点

结电容低，大部分系列产品结电容不超过2pF，特大通流量产品结电容在十几至几十皮法
通流量大，GDT单体8/20μs波形的通流量范围为500A~100kA；

75V~6000V，脉冲击穿电压范围为600V~7800V；
绝缘阻抗高，一般在1GΩ以上，不易老化，可靠性高；


封装多样，有贴片器件及插件器件，两端器件及三端器件，圆形及方形电极，满足不同应用需求。

GDT选型注意事项

1、直流击穿电压（DC-Spark-over Voltage）与脉冲击穿电压（Impulse Spark-over Voltage）


选型时要注意直流击穿电压与脉冲击穿电压的区别，直流击穿电压选取应参考电路的工作电压，直流击穿电压应大于 被保护线路的最大工作电压，否则会影响线路的正常工作。脉冲击穿电压要考虑浪涌测试等级，一般浪涌测试波形的上升时 间为微秒级的脉冲波形，如8/20μs电流波和10/700μs电压波，与GDT脉冲击穿电压测量电压上升速率1000V/μs为一 个数量级，例如采用10/700μs的波形测试4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通。 下图为GDT在不同电压上升速率下的导通状态示意图，从图中可以看出，电压上升速率越高，GDT的击穿电压也越高。


2、GDT的续流问题

      GDT是一种开关型过电压保护器件，导通后电压较低，不能单独应用于较高的电源线保护。常说的 GDT 会续流，是指GDT在导通后，如果被保护电路的工作电压高于GDT的通态电压，GDT会一直处于导通状态，如果线路中 长时间通过安培级别的异常大电流，可能会对GDT和电路造成损坏。

3、封装形式

       根据电路设计布局选择合适的封装形式。GDT器件封装的大小从一定程度上可以反映器件的防护等级大小，一般封装越大的器件耐冲击电流的能力也越强，防护等级也越高，反之亦然。

  GDT（Gas Discharge Tubes），即陶瓷气体放电管。GDT是内部由一个或一个以上放电间隙内充有惰性气体构成的密闭器件。GDT电气性能取决于气体种类、气体压力、内部电极结构、制作工艺等因素。GDT可以承受高达数十甚至数百千 安培的浪涌电流冲击，具有极低的结电容，应用于保护电子设备和人身免遭瞬态高电压的危害。下图为典型的GDT伏安特性图。



GDT特点

结电容低，大部分系列产品结电容不超过2pF，特大通流量产品结电容在十几至几十皮法
通流量大，GDT单体8/20μs波形的通流量范围为500A~100kA；

75V~6000V，脉冲击穿电压范围为600V~7800V；
绝缘阻抗高，一般在1GΩ以上，不易老化，可靠性高；


封装多样，有贴片器件及插件器件，两端器件及三端器件，圆形及方形电极，满足不同应用需求。

GDT选型注意事项

1、直流击穿电压（DC-Spark-over Voltage）与脉冲击穿电压（Impulse Spark-over Voltage）


选型时要注意直流击穿电压与脉冲击穿电压的区别，直流击穿电压选取应参考电路的工作电压，直流击穿电压应大于 被保护线路的最大工作电压，否则会影响线路的正常工作。脉冲击穿电压要考虑浪涌测试等级，一般浪涌测试波形的上升时 间为微秒级的脉冲波形，如8/20μs电流波和10/700μs电压波，与GDT脉冲击穿电压测量电压上升速率1000V/μs为一 个数量级，例如采用10/700μs的波形测试4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通。 下图为GDT在不同电压上升速率下的导通状态示意图，从图中可以看出，电压上升速率越高，GDT的击穿电压也越高。


2、GDT的续流问题

      GDT是一种开关型过电压保护器件，导通后电压较低，不能单独应用于较高的电源线保护。常说的 GDT 会续流，是指GDT在导通后，如果被保护电路的工作电压高于GDT的通态电压，GDT会一直处于导通状态，如果线路中 长时间通过安培级别的异常大电流，可能会对GDT和电路造成损坏。

3、封装形式

       根据电路设计布局选择合适的封装形式。GDT器件封装的大小从一定程度上可以反映器件的防护等级大小，一般封装越大的器件耐冲击电流的能力也越强，防护等级也越高，反之亦然。