自举电路，通俗讲就是自己把自己抬起来，其原理就是利用自举升压电容进行升压的电路。

  我们经常会在 Buck、电机驱动H桥等电路中见到自举电容。以 N-MOS 为例，需要自举的根本原因是因为栅极很小，导致不能满足G极大于S极的导通条件，根据电容两端电压不能突变的原理，可以在栅极叠加产生一个更高的电压，从而使 MOS 管导通。

相比于其他升压拓扑结构，自举电路的优点是成本低、电路结构简单。

自举的过程

下面，我们以半桥驱动中的自举电路来分析：

  在第一个阶段（下管驱动阶段，Q1截止，Q2导通），此时自举电容CB进行充电。在此期间，来自VDD的充电电流流入驱动芯片的VDDA，并通过电容的充电环路，从自举电阻器RB、二极管D1、电容CB和Q2流到地。

  第二个阶段（上管驱动阶段，Q2截止，Q1导通），Q1源极（连接 GNDA 脚）上的电压快速上升至Q1漏极电压 VDRAIN。因为电容两端电压不能突变，所以 VDDA 上的电压等于Q1源电压加上CB两端的电压（CB已充电至大约 VDD–0.7V）。而因为Q1源极（和 GNDA）电压升高，二极管D1变为反向偏置，断开 VDD 电源与CB的连接。此时由CB提供上管驱动阶段所需的所有电流。

    自举电路，通俗讲就是自己把自己抬起来，其原理就是利用自举升压电容进行升压的电路。

  我们经常会在 Buck、电机驱动H桥等电路中见到自举电容。以 N-MOS 为例，需要自举的根本原因是因为栅极很小，导致不能满足G极大于S极的导通条件，根据电容两端电压不能突变的原理，可以在栅极叠加产生一个更高的电压，从而使 MOS 管导通。

相比于其他升压拓扑结构，自举电路的优点是成本低、电路结构简单。

自举的过程

下面，我们以半桥驱动中的自举电路来分析：

  在第一个阶段（下管驱动阶段，Q1截止，Q2导通），此时自举电容CB进行充电。在此期间，来自VDD的充电电流流入驱动芯片的VDDA，并通过电容的充电环路，从自举电阻器RB、二极管D1、电容CB和Q2流到地。

  第二个阶段（上管驱动阶段，Q2截止，Q1导通），Q1源极（连接 GNDA 脚）上的电压快速上升至Q1漏极电压 VDRAIN。因为电容两端电压不能突变，所以 VDDA 上的电压等于Q1源电压加上CB两端的电压（CB已充电至大约 VDD–0.7V）。而因为Q1源极（和 GNDA）电压升高，二极管D1变为反向偏置，断开 VDD 电源与CB的连接。此时由CB提供上管驱动阶段所需的所有电流。